[14p-P4-1~78] 17 Nanocarbon Technology（Poster）

[14p-P4-31] Graphene oxide (rGO)/Si heterojunction formed under an oscillating electric field around y axis in x-z plane

〇Yuto Ito¹, Takao Komiyama¹, Yasunori Chonan¹, Hiroyuki Yamaguchi¹, Takashi Aoyama¹ (1.Akita prefectural Univ.)

Keywords:Graphene oxide, Electric field, Reduction

SiO₂膜を除去し、Si上に直接GOを塗布するrGO/Siヘテロ接合に関して、二軸電界印加下で乾燥、その後還元するプロセスがrGOの膜質に及ぼす影響について報告する。