[14p-P4-1~78] 17 Nanocarbon Technology（Poster）

[14p-P4-61] Epitaxial growth of ReS₂ thin-film on c-plane sapphire substrate

〇Noriyuki Urakami^1,2, Tetsuya Okuda¹, Yoshio Hashimoto^1,2 (1.Shinshu Univ. Faculty of engineering, 2.Shinshu Univ. Inst. of Carbon Sci. and Tech.)

Keywords:transition metal dichalcogenides, ReS2

レニウム(Re)膜を蒸着したc面サファイア基板を硫黄(S)雰囲気で加熱することでReS₂を作製した。X線回折により、[0001]方向に配向したReS₂単結晶薄膜が作製されていることが示唆された。Raman分光測定により、ReS₂の面内方向(E_g)および積層方向(A_g)の振動を示す輝線がそれぞれ観測された。それらの半値全幅は3cm^-1程度と非常に狭く高品質化に成功したことを示唆している。以上より、c 面サファイア基板上へ ReS2 単結晶薄膜のエピタキシャル成長に成功した。