2017年第64回応用物理学会春季学術講演会

講演情報

一般セッション(口頭講演)

13 半導体 » 13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・配線・MEMS・集積化技術

[15a-304-1~10] 13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・配線・MEMS・集積化技術

2017年3月15日(水) 09:00 〜 11:30 304 (304)

佐々木 実(豊田工大)

09:45 〜 10:00

[15a-304-4] HexafluoroacetylacetoneによるPtエッチング

近藤 英一1、荻原 佑太1 (1.山梨大工)

キーワード:Pt、エッチング

Pt電極はMRAMやFeRAMなどの電極材料であるがドライエッチングがむつかしい。特に、最近のMRAMプロセスでは、スパッタ残さや難揮発性副生成物を除去できるクリーニング手法が必要となっている。我々は、超臨界流体中でFe、Co、Cuなどの遷移金属をhexafluoroacetylacetone (Hhfac)と反応させ溶解除去するエッチング手法を開発した。本報ではPtエッチングができたのでそれについて報告する。