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[15a-311-11] 有機半導体のイオン化ポテンシャル・電子親和力に関する第一原理計算による研究
キーワード:有機半導体、イオン化ポテンシャル/電子親和力、GW近似
第一原理計算によって有機半導体の表面分子配向に依存するイオン化ポテンシャル(IP)・電子親和力(EA)を計算した。注入電荷のバルクでの動的遮蔽を考慮することで、結晶では気相よりもエネルギーギャップが3 eV程度小さくなった。それに加え、分子配向に依存する静電的寄与で、HOMO/LUMO準位が気相から少なからず変化した。これらの静電的・動的寄与の両方を考慮することで、IP・EAが正しく計算された。