[15a-313-1~11] 15.3 III-V族エピタキシャル結晶・エピタキシーの基礎

[15a-313-1] Si (100) ジャスト基板上InAs/GaAs 量子ドット直接成長のための核形成層の形成

〇(M2)李 珠行¹、權 晋寛²、影山 健生²、渡邊 克之¹、岩本 敏^1,2、荒川 泰彦^1,2 (1.東大生研、2.ナノ量子機構)

キーワード：分子線エピタキシー、シリコンフォトニックス