[15a-313-1~11] 15.3 III-V-group epitaxial crystals, Fundamentals of epitaxy

[15a-313-10] Real-time structural analysis of InGaAs/InAs/GaAs(111)A interface by in situ synchrotron X-ray diffraction

〇Takuo Sasaki¹, Masamitu Takahasi¹ (1.QST)

Keywords:Synchrotron radiation, molecular beam epitaxy, in situ X-ray diffraction

GaAs(111)A基板は、InAs薄膜を成長した際に、ヘテロ界面にのみ転位が集中し、貫通転位が発生しにくいなど、GaAs(001)基板とは異なる特徴が報告されており、貫通転位密度の低減に有効な基板として注目されている。そこで本研究は、GaAs(111)A基板上のInGaAs薄膜のひずみ緩和過程を明らかにすることを目的として、放射光その場X線回折によるInGaAs/ InAs/GaAs(111)A界面の構造解析を行った。