[15a-313-1~11] 15.3 III-V族エピタキシャル結晶・エピタキシーの基礎

[15a-313-11] InAs/GaAs(110)系におけるひずみ緩和と成長様式に関する理論検討

〇伊藤 智徳¹、海田 諒¹、秋山 亨¹、中村 浩次¹ (1.三重大院工)

キーワード：半導体、成長様式