[15a-313-1~11] 15.3 III-V族エピタキシャル結晶・エピタキシーの基礎

[15a-313-2] 高密度InGaAs量子ドットのメタモルフィックテンプレート上成長

〇影山 健生¹、渡邉 克之²、武政 敬三³、菅原 充³、岩本 敏^1,2、荒川 泰彦^1,2 (1.東大ナノ量子機構、2.東大生研、3.QDレーザ)

キーワード：量子ドット、メタモルフィック、分子線成長