[15a-313-1~11] 15.3 III-V族エピタキシャル結晶・エピタキシーの基礎

[15a-313-5] GaAsP層導入によるInAs/GaAs多重積層量子ドットの高品質化

〇渡邉 克之^1,2、岩本 敏^1,2、荒川 泰彦^1,2 (1.東大生研、2.東大ナノ量子機構)

キーワード：量子ドット、インジウムヒ素、歪補償

GaAs基板上でGaAsP層導入した50層までのInAs量子ドット近接多重積層構造を作製した。InAs/GaAs量子ドット構造とInAs/GaAsP/GaAs量子ドット構造との比較により、GaAsP層導入が結晶品質の明瞭な改善効果をもたらすことを見出した。