[15a-313-1~11] 15.3 III-V族エピタキシャル結晶・エピタキシーの基礎

[15a-313-6] 近接積層InAs/GaAs量子ドットのGaAsスペーサ層膜厚と成長温度による広帯域偏光特性制御（2）

〇海津 利行^1,2、田尻 祐介¹、喜多 隆¹ (1.神戸大院工、2.神戸大研究基盤セ)

キーワード：量子ドット、偏光特性、近接積層