[15a-313-1~11] 15.3 III-V族エピタキシャル結晶・エピタキシーの基礎

[15a-313-7] As₂分子線を用いて成長したInAs量子ドットへのGaAs キャップによる構造変化

〇林 佑真¹、尾崎 信彦¹、大河内 俊介²、池田 直樹³、杉本 喜正³ (1.和歌山大学シス工、2.NEC、3.物材機構)

キーワード：InAs量子ドット、As2分子線