2017年第64回応用物理学会春季学術講演会

講演情報

一般セッション(口頭講演)

15 結晶工学 » 15.3 III-V族エピタキシャル結晶・エピタキシーの基礎

[15a-313-1~11] 15.3 III-V族エピタキシャル結晶・エピタキシーの基礎

2017年3月15日(水) 09:00 〜 12:00 313 (313+314)

尾崎 信彦(和歌山大)

11:00 〜 11:15

[15a-313-8] GaAs中のエピタキシャル窒素膜における反ストークス発光

小川 泰弘1、原田 幸弘1、海津 利行1、喜多 隆1 (1.神戸大院工)

キーワード:エピタキシャル窒素膜、反ストークス発光

GaAs中にデルタドーピングを用いて成長したエピタキシャル窒素膜における反ストークス発光について報告する。エピタキシャル窒素膜においては2次元非局在電子状態が形成されており、フォノンとの強い相互作用が期待できる。講演では反ストークスシフトの起源について詳細に議論していく。