[15a-313-1~11] 15.3 III-V族エピタキシャル結晶・エピタキシーの基礎

[15a-313-9] 原子状水素援用MBEによるGa(In)NAs薄膜の残留キャリアと水素照射効果

〇何 軼倫^1,2、宮下 直也²、岡田 至崇^1,2 (1.東大院工、2.東大先端研)

キーワード：III-V族半導体、希釈窒化物、分子線エピタキシー