[15a-315-1~10] 13.8 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

[15a-315-1] RIE-GaN表面へのAlGaN直接成長によるAlGaN/GaN構造の電気的特性

〇山本 高勇¹、吉田 知司¹、金谷 彗杜¹、葛原 正明¹ (1.福井大院)

キーワード：AlGaN/GaN、RIE、MOCVD

RIE処理したn^--GaN表面上にMOCVD法でAlGaN層を直接成長したAlGaN/GaN構造において約500 cm²/Vsの移動度を得るとともに、トランジスター動作を確認した。