[15a-315-1~10] 13.8 Compound and power electron devices and process technology

[15a-315-2] GaN selective regrowth by Pico–sec Pulsed Laser Deposition with HSQ mask

〇Tomohiro Kazumoto¹, Romualdo A. Ferreyra¹, Asamira Suzuki¹, Daisuke Ueda¹ (1.Kyoto Inst. Tech.)

Keywords:gallium nitride, Pulsed Laser Deposition, regrowth

近年GaNデバイスは電力応用に期待されているが、Siパワーデバイスと比べてコンタクト抵抗が大きいという問題がある。更なる高効率化のためにコンタクト抵抗を下げることは大きな課題であり、これまでn型GaN再成長層を形成する方法が注目されてきた。我々はこれまでのMBE法やMOCVD法などに代えてPLD法を用いることでより簡便に行うことを試み、低コンタクト抵抗を実現した。