2017年第64回応用物理学会春季学術講演会

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一般セッション(口頭講演)

13 半導体 » 13.8 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

[15a-315-1~10] 13.8 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

2017年3月15日(水) 09:00 〜 11:45 315 (315)

佐藤 威友(北大)

09:30 〜 09:45

[15a-315-3] ハイドライド気相成長法におけるFeドープGaNテンプレートを用いたAlGaN/GaN HEMTのFe濃度依存性

西平 貴則1、在田 直起1、杉本 浩平1,2、井本 良1、岡田 成仁1、只友 一行1 (1.山口大学院、2.宇部興産)

キーワード:AlGaN/GaN、Fe doped GaN