[15a-315-1~10] 13.8 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

[15a-315-3] ハイドライド気相成長法におけるFeドープGaNテンプレートを用いたAlGaN/GaN HEMTのFe濃度依存性

〇西平 貴則¹、在田 直起¹、杉本 浩平^1,2、井本 良¹、岡田 成仁¹、只友 一行¹ (1.山口大学院、2.宇部興産)

キーワード：AlGaN/GaN、Fe doped GaN