[15a-411-1~10] 13.9 Optical properties and light-emitting devices

[15a-411-3] Surface Passivation Effects on the Photoluminesence and Photoexcited Electron Dynamics of CuInS₂ Quantum Dots

〇(M2)takuya izuishi¹, Yao Hong Zhang¹, Naoki Nakazawa¹, Taro Toyoda^1,5, Shuji Hayase^2,5, Kenji Katayama³, Takashi Minemoto^4,5, Qing Shen^1,5 (1.Univ. Electro-Commun., 2.Kyushu Inst. Tech., 3.Chuo Univ., 4.Ritsumeikan Univ., 5.JST CREST)

Keywords:CuInS2, Quantum Dot, Photoexcited Carrier Dynamics

CuInS₂量子ドット(CIS-QD)は粒径の変化により光吸収領域を変化できること、バルク状態よりも光吸収係数が高いといった特徴から太陽電池に応用されている。CIS-QDには配位子置換の容易なオレイン酸亜鉛を有機配位子として用いている例がある。本研究では、オレイン酸亜鉛で修飾したCIS-QDを作製し、表面修飾効果を評価した。また、スピンコート法で配位子置換した試料を作り、配位子長の影響性を光励起電子の緩和過程から評価した。