[15a-411-1~10] 13.9 光物性・発光デバイス

[15a-411-5] LSW理論に基づくSiO₂薄膜中のナノ結晶Siの粒径予測

〇(M1)川村 寿栄¹、勝俣 裕¹ (1.明大理工)

キーワード：ナノ結晶シリコン、スパッタ、LSW理論

サファイア基板上にスパッタ法により成膜したSi-rich oxcide薄膜を熱処理することでnanocrystalline(nc)-Siを形成し、光学バンドギャップ(E_g)の熱処理条件依存性を評価した。E_gからnc-Siの結晶粒径を算出し、LSW理論式から理論的に導いたnc-Siの結晶粒径と比較した。XPS測定によりSiO₂薄膜中での結合と組成を測定し、SiとOの組成比からLSW理論に用いる定数項を導出した。アニール時間の増大とともにE_gの減少、粒径の増大、PLピークのレッドシフトを観測した。