[15a-412-1~10] 6.2 カーボン系薄膜

△ [15a-412-1] α-Al₂O₃(0001)上エピタキシャルIr薄膜の高基板温度化による結晶性向上

〇北嵜 仁¹、古場 優樹¹、市川 公善¹、児玉 英之¹、金 聖祐²、曾田 英雄²、鈴木 一博³、澤邊 厚仁¹ (1.青学大理工、2.並木精密宝石(株)、3.トウプラスエンジニアリング(株))

キーワード：ダイヤモンド、イリジウム、ヘテロエピタキシー