[15a-412-1~10] 6.2 Carbon-based thin films

[15a-412-3] Highly-Oriented Diamond on Si(111) by High Oxygen Concentration Growth

〇Takeru Suto^1,2, Shinnosuke Kuwabara¹, Junya Yaita^1,2, Takayuki Iwasaki^1,2, Mutsuko Hatano^1,2 (1.Tokyo Tech., 2.JST-CREST)

Keywords:Diamond, Heteroepitaxial Growth, Si(111)

我々はこれまで短時間のBENと高酸素濃度成長を組み合わせることによって3C-SiC/Si (111)上での (111) HODを報告してきたが, 今回は本手法のSi直上への適用可能性について検討した. 成長初期段階では多結晶状の回折像を示していたが, 成長後にはエピタキシャル粒子が支配的となった. Si上でも本手法が適用可能であることが示され, バッファレイヤを用いない低コスト (111) HODの合成が期待される.