[15a-412-1~10] 6.2 カーボン系薄膜

[15a-412-3] 高酸素濃度成長を用いたSi(111)上高配向ダイヤ膜の合成

〇須藤 建瑠^1,2、桑原 新之助¹、矢板 潤也^1,2、岩崎 孝之^1,2、波多野 睦子^1,2 (1.東工大、2.JST-CREST)

キーワード：ダイヤモンド、ヘテロエピタキシャル成長、Si(111)

我々はこれまで短時間のBENと高酸素濃度成長を組み合わせることによって3C-SiC/Si (111)上での (111) HODを報告してきたが, 今回は本手法のSi直上への適用可能性について検討した. 成長初期段階では多結晶状の回折像を示していたが, 成長後にはエピタキシャル粒子が支配的となった. Si上でも本手法が適用可能であることが示され, バッファレイヤを用いない低コスト (111) HODの合成が期待される.