2017年第64回応用物理学会春季学術講演会

講演情報

一般セッション(口頭講演)

6 薄膜・表面 » 6.2 カーボン系薄膜

[15a-412-1~10] 6.2 カーボン系薄膜

2017年3月15日(水) 09:00 〜 11:45 412 (412)

山田 英明(産総研)、吉武 剛(九大)

10:00 〜 10:15

[15a-412-5] 選択成長に向けたリモートプラズマCVD法によるダイヤモンド合成

星野 晴華1、稲葉 優文1、川原田 洋1,2 (1.早大理工、2.早大材研)

キーワード:ダイヤモンド、CVD、リモートプラズマ

ダイヤモンドパワーデバイスの立体的な性質を向上するために、選択成長は有用な方法である。プラズマ中に下地基板をおいて選択成長を行う場合、マスクの損傷が大きい。本研究では、マスクの損傷の少ない選択成長に向けて、リモートプラズマCVD法を用いてダイヤモンドの合成を行い、基板温度などの諸条件を独立制御し、その影響について検討した。また、リモートプラズマCVD法による選択成長も試みた。