[15a-421-1~12] 9.2 Nanowires and Nanoparticles

[15a-421-1] Atom Probe Tomography Analysis of Impurity Doped Silicon Nanocrystals

〇HIROSHI SUGIMOTO¹, Keita Nomoto², Simon P. Ringer³, Gavin Conibeer², Minoru Fujii¹ (1.Kobe Univ., 2.NSW Univ., 3.Univ. of Sydney)

Keywords:silicon, doping, quantum dot

半導体の基盤材料であるシリコンナノ構造への不純物ドーピングによる電気的・光学的特性の制御に関する研究が活発に行われているが、数ナノメートルのシリコン（Si）結晶では自己浄化作用の影響が顕著になり、ドーピング効果の実験的研究は限定的である。本研究では、3次元アトムプローブ法により、不純物ドープSiナノ結晶中のリン及びホウ素の原子スケールでの分布を明らかにする[