[15a-421-1~12] 9.2 Nanowires and Nanoparticles

[15a-421-2] Enhancement of radiative recombination rate of silicon quantum dots by impurity doping

〇Masataka Yamamura¹, Hiroshi Sugimoto¹, Minoru Fujii¹ (1.Kobe Univ.)

Keywords:Silicon quantum dots, Photoluminescence

シリコン (Si) 量子ドットは量子サイズ効果により可視～近赤外領域において発光を示す。しかし、輻射再結合レートは化合物半導体量子ドットに比べて数桁小さく、さらなる増大が求められている。有望なアプローチとして、量子閉じ込め効果に加えて、不純物ドーピングにより励起子をさらに局在させることが考えられる。本研究では、リンとホウ素を同時ドープしたSi量子ドットの輻射再結合レートを実験的に決定する。