[15a-421-1~12] 9.2 ナノワイヤ・ナノ粒子

[15a-421-3] 不純物ドープシリコン量子ドットの単一ドット分光

〇管野 天¹、杉本 泰¹、フチコバ アナ²、バレンタ ヤン²、藤井 稔¹ (1.神戸大院工、2.カレル大)

キーワード：シリコン、量子ドット、単一ドット分光

不純物ドーピングしたシリコン(Si)量子ドットの物性は、不純物の量やサイトによって広範囲に制御可能である。特に、ホウ素とリンを同時ドープしたSi量子ドットではドープしていない場合に比べて、発光エネルギーは減少し、発光線幅がブロードニングする。本講演では不純物同時ドープしたSi量子ドットに対して単一ドット分光法を適用することで、単一量子ドットにおいて不純物が発光特性に与える影響について議論する。