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[15a-422-10] 膜厚変調DBRによるVCSELの電気抵抗低減
キーワード：半導体レーザー、DBR、光無線給電
光無線給電にはVCSELアレイの高効率化のため電気抵抗低減が重要である．今回，膜厚変調DBR(TM-DBR)を適用したGaAs系VCSELを検討した．TM-DBRは低抵抗率GaAs層を厚くし，高抵抗率AlGaAs層を薄くする．Al組成とドーピング量に対する電気抵抗率の関係式を準備し，電気抵抗の数値解析を行った．TM-DBRは反射率維持にペア数増加となるため，変調比率の選択が重要である．