[15a-502-1~12] 21.1 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

[15a-502-3] Zn層挿入によるGa添加ZnO膜の低抵抗化と均一化

〇山田 容士¹、サンシャコグル オルクツ¹、杉浦 怜¹、正力 幹也¹、舩木 修平¹ (1.島根大総理工)

キーワード：透明導電膜、電気特性、アニール