講演情報

Tweet

一般セッション(口頭講演)

15 結晶工学 » 15.4 III-V族窒化物結晶

[15a-503-1~12] 15.4 III-V族窒化物結晶

2017年3月15日(水) 09:00 〜 12:15 503 (503)

赤坂哲也(NTT)、齋藤義樹(豊田合成)

11:30 〜 11:45

△ [15a-503-10] 溝加工(10-10)GaN基板上へのGaN選択横方向成長

〇(D)岡田俊祐¹、岩生浩季¹、三宅秀人¹、平松和政¹ (1.三重大)

キーワード：窒化ガリウム(GaN)、自立基板、有機金属気相成長法