[15a-503-1~12] 15.4 III-V-group nitride crystals

△ [15a-503-11] Growth and characterization of polar plane-free 3D faceted InGaN quantum wells toward highly efficient white color synthesis

〇Yoshinobu Matsuda¹, Mitsuru Funato¹, Yoichi Kawakami¹ (1.Kyoto Univ.)

Keywords:nitride semiconductor, metal-organic vapor phase epitaxy, polychromatic emission

三次元InGaN量子井戸は，蛍光体フリーな新規白色LEDとして有望である．しかし，報告されている構造では，最長波長発光を担うInリッチInGaN量子井戸が(0001)極性面上に作製されており，分極誘起電界のために発光効率が低くなるという問題があった．そこで本研究では，三次元量子井戸を{11-22}半極性GaN基板上に作製した．結果，極性面フリーな三次元構造の作製に成功し，多色発光も観察した．