[15a-503-1~12] 15.4 III-V族窒化物結晶

△ [15a-503-11] 高効率白色合成に向けた極性面フリーな三次元InGaN量子井戸の作製と評価

〇松田 祥伸¹、船戸 充¹、川上 養一¹ (1.京大工)

キーワード：窒化物半導体、有機金属気相成長法、多色発光

三次元InGaN量子井戸は，蛍光体フリーな新規白色LEDとして有望である．しかし，報告されている構造では，最長波長発光を担うInリッチInGaN量子井戸が(0001)極性面上に作製されており，分極誘起電界のために発光効率が低くなるという問題があった．そこで本研究では，三次元量子井戸を{11-22}半極性GaN基板上に作製した．結果，極性面フリーな三次元構造の作製に成功し，多色発光も観察した．