[15a-503-1~12] 15.4 III-V族窒化物結晶

△ [15a-503-12] InGaN薄膜成長における格子不整合とIn組成の相関

〇稲富 悠也¹、寒川 義裕^1,2,3、伊藤 智徳⁴、柿本 浩一^1,2 (1.九大院工、2.九大応力研、3.名大未来研、4.三重大院工)

キーワード：窒化物半導体、組成引き込み効果、窒化インジウムガリウム

GaN基板上に成長したInGaN薄膜は、その成長初期段階においてIn組成比が低くなる現象が報告されている。これは組成引き込み効果と呼ばれ、基板との格子不整合が原因と考えられている。我々はこの現象を理論的に解析した。解析は熱力学解析手法と原子間ポテンシャル計算に基づいておこなった。解析の結果、格子不整合が大きいほどIn組成比が低くなることが理論的に示された。この結果は組成引き込み効果をよく説明している。