[15a-B6-1~11] 17.2 グラフェン

[15a-B6-5] ドレインコンダクタンス低減を企図したDual-gate エピ・グラフェンFET
のオペランド顕微光電子分光を用いた動作機構解明（I）

齋藤 和馬¹、岡田 政也²、三橋 史典²、舘野 泰範²、河内 剛志²、永村 直佳³、今野 隼⁴、高橋 良暢⁴、小嗣 真人⁴、堀場 弘司⁵、末光 眞希¹、尾嶋 正治⁶、〇吹留 博一¹ (1.東北大通研、2.住友電気工業、3.物質・材料研究機構、4.東理大、5.高エネ研、6.東大)

キーワード：グラフェン、電界効果トランジスタ、顕微光電子分光

グラフェンを用いた電界効果トランジスタのドレイン電流の未飽和（大きなドレインコンダクタンス）を解決する為に、我々は、Dual-gate構造を採用した高速のEG-FET（DG-GFET）を提案している。このDG-GFETは、高いキャリア移動度・飽和速度を維持しつつ、ピンチオフを実現すること可能にするものである。実際に、DG-GFETでピンチオフが起こることは、電気特性評価から我々は確かめている。本発表では、オペランド顕微光電子分光（水平分解能<100 nm）[2]を用いて行った、DG-GFETの詳細な動作機構解明に関する研究結果について報告する。