[15a-F201-1~12] 15.7 結晶評価，不純物・結晶欠陥

△ [15a-F201-1] 炭素クラスターイオン注入Siエピウェーハの特徴(1)
-TCADによる注入層の軽元素捕獲・拡散挙動の理論解析-

〇奥山 亮輔¹、重松 理史¹、廣瀬 諒¹、柾田 亜由美¹、門野 武¹、古賀 祥泰¹、奥田 秀彦¹、栗田 一成¹ (1.SUMCO)

キーワード：TCAD

炭素クラスターイオン注入エピタキシャルウェーハは注入レンジに酸素および水素が捕獲されることを明らかとしてきた．炭素クラスター注入領域の軽元素に対する捕獲・拡散挙動の解析は炭素クラスターイオン注入ウェーハの特性の理解に重要である．そのため，注入レンジ中の炭素（C）と格子間Si（I）により形成されるCIクラスターが酸素および水素と結合する反応モデルを仮定しTCADによる解析をおこなった．TCADとSIMS分析結果の比較から，CIクラスターが酸素および水素の捕獲サイトして機能することが推察される結果を得た．