[15a-F201-1~12] 15.7 Crystal evaluation, impurities and crystal defects

[15a-F201-10] Effects of nitrogen doping on the oxygen precipitation in the ultra-high temperature RTP wafers

〇Hideyuki Okamura¹, Haruo Sudo¹, Kozo Nakamura³, Susumu Maeda¹, Koji Sueoka² (1.GlobalWafers Japan, 2.Faculty of Computer Science and System Engineering, Okayama Prefectural Univ., 3.Regional Cooperative Research Organization, Okayama Prefectural Univ.)

Keywords:Rapid Thermal Process, Oxygen precipitate nuclei, Nitrogen

窒素濃度の異なるウェーハについて、1300℃以上の酸素雰囲気Rapid Thermal Process (RTP) 後の酸素析出物の深さ方向の密度分布を調査した。実験結果から、窒素濃度が高いほど、また冷却速度が大きいほど酸素析出物の密度が表面近くから立ち上がり、酸素析出を促進する事が分かった。シミュレーション結果との比較からRTP中に高濃度に形成される窒素-空孔複合体（VN）が析出に寄与する空孔の実効濃度を増加させて、酸素析出を促進させるものと推定された。