[15a-F201-1~12] 15.7 結晶評価，不純物・結晶欠陥

[15a-F201-7] 酸素雰囲気での超高温RTPによる点欠陥の導入挙動 (I)

〇前田 進¹、岡村 秀幸¹、中村 浩三³、須藤 治生¹、末岡 浩治² (1.グローバルウェーハズ・ジャパン、2.岡山県大 情報工、3.岡山県大 地域共同研究機構)

キーワード：急速昇降温熱処理、酸化、格子間シリコン

前回、1300℃以上の酸素雰囲気RTP では酸化による格子間シリコンの注入効果でボイド欠陥や窒素起因酸素析出核を消去できること、残留空孔により酸素析出が促進されることを報告した。しかし、この温度域で導入される点欠陥濃度についての報告例はない。本研究はRTPにて導入される点欠陥濃度を酸素析出物密度から推定し、その導入機構を調査したので報告する。