[15a-F201-1~12] 15.7 Crystal evaluation, impurities and crystal defects

[15a-F201-9] Investigation of annihilation behavior of void defects in Cz-Si wafers by ultra-high temperature RTP

〇Haruo Sudo¹, Kozo Nakamura³, Susumu Maeda¹, Hideyuki Okamura¹, Koji Sueoka² (1.GlobalWafers Japan, 2.Faculty of Computer Science and System Engineering, Okayama Prefectural Univ., 3.Regional Cooperative Research Organization, Okayama Prefectural Univ.)

Keywords:Rapid Thermal Process, Interstitial silicon, Void defect

本大会前報において、O₂-RTPにおける酸化による格子間Siの過飽和度を記述する実験式を求めた。そこで本報告では、推定された格子間Siの過飽和度により、O₂-RTPにおけるボイドの消滅が定量的に説明可能であることを報告する。