[15a-F204-1~12] 15.6 IV族系化合物（SiC）

[15a-F204-10] 低不純物濃度 ４H-SiC C面エピタキシャル膜のキャリアライフタイム

〇櫛部 光弘¹、西尾 譲司¹、四戸 孝¹、宮坂 晶²、浅水 啓州³、北井 秀憲²、原田 信介²、児島 一聡² (1.㈱東芝、2.産業技術研究所、3.ローム（株）)

キーワード：SiC、キャリアライフタイム、C面

４H-SiCのC面エピタキシャル成長において、n-typeの低キャリア濃度層の成長に成功。この膜にC注入によるキャリアライフタイムエンハンスプロセスを実施。高耐圧パワーデバイスに適用可能なレベルの長いキャリアライフタイムが得られた。