[15a-F204-1~12] 15.6 IV族系化合物（SiC）

[15a-F204-8] 4H-SiCマイクロトレンチ埋込エピタキシャル成長における律速過程

〇望月 和浩¹、紀 世陽¹、小杉 亮治¹、米澤 喜幸¹、奥村 元¹ (1.産総研)

キーワード：ギブス－トムソン効果、トレンチ、エピタキシャル成長

これまで4H-SiCマイクロトレンチへの気相エピタキシャル成長を、気相拡散が律速していると仮定し、成長速度のトレンチピッチ依存性に関する実験結果を、Gibbs-Thomson効果を考慮することにより再現してきた。今回、他の公知の過程（気相反応、表面反応、表面拡散）の律速可能性を検討した結果、いずれも低いことが判明したことから、上記過程は妥当であると結論付けた。