[15a-F206-1~8] 22.1 合同セッションM 「フォノンエンジニアリング」

[15a-F206-6] 局所的なフォノン分布を考慮した擬Self-consistent モンテカルロ法によるナノスケールGaN-HEMTの高周波特性解析

〇伊藤 直人¹、粟野 祐二¹ (1.慶大理工)

キーワード：フォノン、GaN HEMT

パワーエレクトロニクスの進展に伴い、エネルギー特性に優れたパワーデバイスが求められている。一方で、パワーデバイスでは熱マネジメントも重要課題である。そのため非定常的な電子・フォノン輸送の解析技術が必要である。我々は擬Self-consistent Monte Carlo方を提案し、高出力・高周波デバイスとして期待されるGaN HEMTの解析を行い、電気的・熱的定量性を評価してきた。今回は高周波特性について解析を行ったので、報告する。