[15a-P11-1~15] 16.3 シリコン系太陽電池

[15a-P11-13] Cat-CVDによる極薄SiN_x膜の製膜

〇(M1)宋 昊¹、大平 圭介¹ (1.北陸先端大)

キーワード：窒化シリコン、Cat-CVD

TOPCon太陽電池における極薄SiO₂パッシベーション膜の代替を目的に、Cat-CVDによる膜厚10 nm未満の極薄SiN_x膜の製膜を試みた。圧力を1 Paとし、堆積時間を1 min未満とすることで、膜厚10 nm未満のSiN_x膜が得られた。また、堆積時間を30 sとし、H₂流量を制御することで、屈折率を制御しつつ、膜厚5 nm前後のSiN_x膜が形成できる見通しを得た。