[15p-213-5~20] 3.5 レーザー装置・材料

[15p-213-14] Hg_0.35Cd_0.65Ga₂S₄の90°位相整合光パラメトリック発振

〇梅村 信弘¹、Valentin Petrov²、加藤 洌^1,3 (1.千歳科技大理工、2.Max-Born Institute、3.岡本光学加工所)

キーワード：波長変換、中赤外線発生、光パラメトリック発振

Hg_1-xCd_xGa₂S₄は従来の結晶と異なり、1.0642 µmのNd:YAGレーザを励起光源とした光パラメトリック発振で5 µm以上の中赤外線光が発生可能である。本研究では、Cdの混晶比率x=0.65のHg_1-xCd_xGa₂S₄を用いて90°位相整合条件で8.24～9.40 µmまで連続した中赤外光が得られることを確認した。また、正確なセルマイヤー方程式が得られた。