[15p-301-2~10] エネルギー材料開発に資するプラズマ技術最前線

[15p-301-4] SiCパワーデバイスにおけるプラズマプロセス

〇原田 信介¹、吉岡 裕典¹、纐纈 英典^1,2、小杉 亮治¹、加藤 智久¹ (1.産総研、2.三菱電機)

キーワード：シリコンカーバイド、ドライエッチング、ゲート酸化膜

ワイドギャップ半導体であるシリコンカーバイド（SiC）は高効率の次世代パワーデバイス材料として注目され、既に実用化も始まっている。SiCパワーデバイスの構造、作製プロセスは、熱酸化が可能であること、n型p型共にイオン注入ドーピングが可能であることなどからSiパワーデバイスの多くを踏襲している。しかしながら、Siと異なる材料特性から多数の独自プロセスが開発及び検討されている。本公演ではプラズマプロセスに着目し、我々の成果を中心に適用例を紹介する。