[15p-315-1~17] 13.8 Compound and power electron devices and process technology

△ [15p-315-10] Interface States Density in Al₂O₃/ GaN Structure using O₂ Ashing and O₃ Oxidation

〇Kazushi Sone¹, Junya Matsushita¹, Yuto Ando¹, Kentaro Nagamatsu², Atsushi Tanaka², Maki Kushimoto¹, Manato Deki², Shugo Nitta², Yoshio Honda², Hiroshi Amano^2,3,4 (1.Nagoya Univ., 2.IMaSS, 3.ARC, 4.VBL)

Keywords:Gallium Nitride, MIS Capacitor

窒化ガリウム（Gallium Nitride: GaN）パワーデバイスへの実現のためには、トランジスタのノーマリーオフ化が必要不可欠であるが、GaN-MOSFETにおけるゲート絶縁膜は何れも堆積膜であり、界面準位密度の低減が要求されている。近年、GaO_x/GaNにおける界面が急峻であることが報告されており、本研究では、O₂プラズマ処理およびO₃酸化法を用いてGaN表面にGaO_xの形成を試み、GaO_x /GaN界面準位の評価を行った。