[15p-315-1~17] 13.8 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

△ [15p-315-10] O₂プラズマ処理およびO₃酸化処理を行ったAl₂O₃/GaN構造の界面準位密度評価

〇曾根 和詩¹、松下 淳矢¹、安藤 悠人¹、永松 謙太郎²、田中 敦之²、久志本 真希¹、出来 真斗²、新田 州吾²、本田 善央²、天野 浩^2,3,4 (1.名大院工、2.未来材料・システム研、3.赤﨑記念センター、4.ベンチャービジネスラボラトリー)

キーワード：窒化ガリウム、MISキャパシタ

窒化ガリウム（Gallium Nitride: GaN）パワーデバイスへの実現のためには、トランジスタのノーマリーオフ化が必要不可欠であるが、GaN-MOSFETにおけるゲート絶縁膜は何れも堆積膜であり、界面準位密度の低減が要求されている。近年、GaO_x/GaNにおける界面が急峻であることが報告されており、本研究では、O₂プラズマ処理およびO₃酸化法を用いてGaN表面にGaO_xの形成を試み、GaO_x /GaN界面準位の評価を行った。