[15p-315-1~17] 13.8 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

[15p-315-13] トレンチMOS構造を設けたGa₂O₃ショットキーバリアダイオード

〇佐々木 公平^1,2、脇本 大樹^1,2、ティユ クァン トゥ¹、小石川 結樹^1,2、倉又 朗人^1,2、東脇 正高³、山腰 茂伸^1,2 (1.ノベルクリスタルテクノロジー、2.タムラ製作所、3.情通機構)

キーワード：酸化ガリウム、ショットキー、トレンチ

β-Ga₂O₃は次世代の低損失高耐圧パワーデバイス用半導体材料として魅力的である。今回、逆方向リーク電流を低減するためにトレンチMOS構造を設けたGa₂O₃ SBDを試作した。その結果、トレンチMOS構造を導入したSBDは、通常のSBDよりも数桁低いリーク特性を示し、逆方向リーク電流の低減にトレンチMOS構造の導入が有効であることを実証できた。