[15p-315-1~17] 13.8 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

△ [15p-315-16] ダブルNO₂ホールドーピングした水素終端ダイヤモンドMOS FETの連続動作

〇(M1)舟木 浩祐¹、石松 裕真¹、桝谷 聡士¹、大島 孝仁¹、嘉数 誠¹、大石 敏之¹ (1.佐賀大院工)

キーワード：ダイヤモンド、電界効果トランジスタ（FET）、ストレス試験

ダイヤモンドは高い絶縁破壊電界，ホール移動度，熱伝導率を有するため，次世代のパワーデバイスとして期待されている．しかし，従来の水素終端ダイヤモンドMOSFETは急速に劣化するという報告がなされている．我々はAl₂O₃保護膜で水素終端ホールチャンネルを熱的に安定化できることを報告したが，今回Al₂O₃保護膜を用い，連続動作する水素終端ダイヤモンドMOSFETを作製したので報告する．