[15p-315-1~17] 13.8 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

[15p-315-3] GaN基板上原子層堆積Al₂O₃膜の経時的絶縁破壊（TDDB）

〇平岩 篤^1,2、佐々木 敏夫¹、大久保 智³、松村 大輔³、川原田 洋^1,3,4 (1.早大ﾅﾉ･ﾗｲﾌ、2.名大未来研、3.早大理工、4.早大材研)

キーワード：Al2O3、絶縁破壊、GaN

GaN基板上に形成した原子層堆積（ALD）Al₂O₃膜の経時的絶縁破壊特性について検討した。同ALDにて用いた酸化剤はH₂O、温度は450℃である。絶縁破壊寿命の摩耗（真性）成分は、分布が狭く良好である。他方、63%寿命は電界強度の指数関数であり、常用電界強度（2MV/cm）に対する推定寿命が10000年とマージンが比較的少ない。高温でのマージン確認とプロセス改善が今後の課題である。