[15p-315-1~17] 13.8 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

[15p-315-5] GaN MOSキャパシタC-V特性の周波数依存性シミュレーション

〇福田 浩一¹、服部 淳一¹、清水 三聡¹、橋詰 保² (1.産総研、2.北大)

キーワード：GaN、MOSキャパシタ、デバイスシミュレーション

GaN MOSキャパシタ容量の周波数依存性を、深い界面準位を考慮した半導体デバイスシミュレーションのトランジェント解析を用いて検討した。