[15p-315-1~17] 13.8 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

[15p-315-6] SiO₂/GaN構造におけるSiO₂膜中へのGa拡散とMOS電気特性への影響

〇山田 高寛¹、渡邉 健太¹、野崎 幹人¹、上野 勝典²、高島 信也²、江戸 雅晴²、高橋 言諸³、清水 三聡³、細井 卓治¹、志村 考功¹、渡部 平司¹ (1.阪大院工、2.富士電機、3.産総研)

キーワード：GaN、拡散、SiO2